STMicroelectronics STD2HNK60Z-1

Name: STMicroelectronics STD2HNK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD2HNK60Z-1

N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK package

$ 0.423

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		STD2HNK60Z-1	304	1		0.423	0.423	0.423	0.423	0.423
Verical		STD2HNK60Z1	304	14				0.423	0.423	0.423
DigiKey		497-12783-5-ND	2,079	1	Tube	2.150	2.150	0.971	0.733	0.568
TME	2	STD2HNK60Z-1	0	3K						0.223	15h
Future Electronics		STD2HNK60Z-1	0	3K	Tube					0.705

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Datasheet22 页14 年前

Future Electronics

iiiC

Farnell

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STD2HNK60Z-1 的描述。

N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK package

STMicroelectronics

N-channel 600 V, 3.5 OHM typ., 2 A SuperMESH Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation P

Farnell

N Channel Mosfet, 600V, 2A, To-251; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):4.4Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD2HNK60Z-1

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