STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTW90N65G2V

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

$ 19.229

EOL

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Distributor	SKU		Min	Pkg
DigiKey	497-18351-ND	570	1	Tube	28.150	28.150	20.227	20.227	20.227
Avnet	SCTW90N65G2V	390	600					17.658	16.618	10h
Newark	SCTW90N65G2V	269	1		34.340	32.040	30.250	29.360	29.360
Verical	SCTW90N65G2V	980	1		17.310	17.310	17.310	17.310	17.310
Arrow Electronics	SCTW90N65G2V	980	1		17.310	17.310	17.310	17.310	17.310

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-06-26

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics SCTW90N65G2V 的描述。

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

Ciiva

HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Digi-ic_SMART PIONEER

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247

Avnet

SIC MOSFET, N-CH, 650V, 119A, TO-247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:119A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:565W RoHS Compliant: Yes

Newark