Samsung IRF530

Name: Samsung IRF530
Brand: Samsung
SKU: IRF530

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

Distributor	SKU
Elcom Components	IRF530	267	0.850	0.850	0.850	0.850	0.850	13h
Freelance Electronics	IRF530	104	1.740	1.740	1.740	1.070	1.070	19h
Classic Components	IRF530	93						16h

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Datasheet1 页0 年前

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1986-04-01

由其分销商提供的 Samsung IRF530 的描述。

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Samsung 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Samsung 也可称为以下名称：

Physical

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Drain to Source Resistance160 mΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation75 W

Min Breakdown Voltage100 V

Number of Elements1

Power Dissipation77 W

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