ROHM RGT50NS65DGTL

Name: ROHM RGT50NS65DGTL
Brand: ROHM
SKU: RGT50NS65DGTL

IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 48 A 194 W Surface Mount LPDS

$ 1.585

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff	2	ST64343612	1,000	1		1.439	1.439	0.945	0.888	0.884	11h
Verical	3	RGT50NS65DGTL	1,000	56				2.032	1.673	1.673
Arrow Electronics		RGT50NS65DGTL	700	1		0.900	0.900	0.900	0.900	0.900
DigiKey		RGT50NS65DGTLCT-ND	970	1	Cut Tape	4.440	2.931	2.073	1.707	1.707
TME	2	RGT50NS65DGTL	0	1		4.080	4.080	4.080	1.830	1.830	16h

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IHS

Datasheet12 页10 年前

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供应链

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

描述

由其分销商提供的 ROHM RGT50NS65DGTL 的描述。

IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 48 A 194 W Surface Mount LPDS

Win Source

Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

IHS

194W 1.65V withbuilt-indiode 650V 48A TO-263-2

UnikeyIC

IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS

Easev

IGBT, 650V, 48A, 175DEG C, 194W; DC Collector Current: 48A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 194W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins

Farnell

IGBT, SINGLE, 650V, 48A, TO-262; Continuous Collector Current:48A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:194W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark