ROHM RD3G07BATTL1

Name: ROHM RD3G07BATTL1
Brand: ROHM
SKU: RD3G07BATTL1

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 1.119

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff	3	ST73514721	730	1		1.332	1.332	0.879	0.822	0.818	9h
Future Electronics		RD3G07BATTL1	2,500	2500	Tape & Reel					1.070
DigiKey	3	846-RD3G07BATTL1CT-ND	10,010	1	Cut Tape	3.310	2.151	1.489	1.170	1.170
Arrow Electronics		RD3G07BATTL1	2,365	1		2.283	1.555	1.254	1.068	1.068
Verical	4	RD3G07BATTL1	2,365	3			1.555	1.254	1.068	0.906

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Future Electronics

Datasheet14 页5 年前

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

描述

由其分销商提供的 ROHM RD3G07BATTL1 的描述。

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Avnet Silica

Transistor MOSFET P-Channel -40V ±70A 3-Pin TO-252 T/R

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, P-CH, 40V, 70A, TO-252; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:70A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V RoHS Compliant: Yes

Newark