onsemi NTH4L060N090SC1

Name: onsemi NTH4L060N090SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L060N090SC1

TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

$ 7.04

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	NTH4L060N090SC1	450	450				7.673	7.097	15h
Newark		NTH4L060N090SC1	84	1	3.410	3.410	3.410	3.410	3.410
Verical	3	NTH4L060N090SC1	430	1	6.389	6.389	6.389	6.389	6.389
Arrow Electronics		NTH4L060N090SC1	30	1	1.501	1.480	1.480	1.480	1.480
Rochester Electronics		NTH4L060N090SC1	1,831				7.110	6.360	5.980	13h

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IHS

Datasheet7 页3 年前

Farnell

Future Electronics

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 20 hours ago)

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描述

由其分销商提供的 onsemi NTH4L060N090SC1 的描述。

TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

EBEE

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 900V, 0.084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

900V 46A 43m´Î@18V20A 221W 2.7V@5mA 11pF@450V N Channel 1.77nF@450V 87nC@-5~15V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4L MOSFETs ROHS

Dasenic

Sic Mosfet, N-Ch, 15V, 66.9A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:66.9A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:320W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L060N090SC1

Newark