onsemi KSD1616AGBU

Name: onsemi KSD1616AGBU
Brand: onsemi
SKU: KSD1616AGBU

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200

$ 0.142

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet	5	KSD1616AGBU	40,000	10K					0.097	2d
Newark	2	KSD1616AGBU	8,980	1	0.074	0.074	0.074	0.074	0.074
Verical	4	KSD1616AGBU	34,195	3139					0.107
Arrow Electronics		KSD1616AGBU	3,548	1	0.202	0.129	0.076	0.052	0.052
Master Electronics		KSD1616AGBU	10,000	250				0.148	0.072

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IHS

Datasheet7 页4 年前

Datasheet0 页0 年前

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Newark

onsemi

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-12-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi KSD1616AGBU 的描述。

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200

Newark

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Semicontronic

300mV@ 50mA,1A NPN 750mW 6V 100nA 120V 60V 1A TO-92-3 4.7mm*3.93mm*4.7mm

UnikeyIC

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Digi-ic_SMART PIONEER

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

Verical

60V 750mW 1A 200@100mA2V 160MHz NPN 150mV@1A50mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 160MHz; Power Dissipation Pd: 750mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 200hFE; T

Farnell