onsemi FDME820NZT

Name: onsemi FDME820NZT
Brand: onsemi
SKU: FDME820NZT

N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 9A, 18mΩ

$ 0.412

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	FDME820NZTCT-ND	1,440	1	Cut Tape	1.400	0.882	0.583	0.413	0.297
Avnet	3	FDME820NZT	5,000	5K							17h
Newark	2	FDME820NZT	7,411	1	Cut Tape	1.350	0.843	0.557	0.438	0.438
Verical	3	FDME820NZT	929	839					0.412	0.368
Rochester Electronics	2	FDME820NZT	61,929					0.397	0.330	0.294	15h

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Upverter

Datasheet7 页2 年前

Technical Drawing1 页6 年前

IHS

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi FDME820NZT 的描述。

N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 9A, 18mΩ

onsemi

N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin MicroFET T/R

Avnet Japan

TAPE REEL/N-channel Power Trench Mosfet

Newark

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 9A, 150度 C, 2.1W;

element14 APAC

29V 9A 14m´Î@4.5V9A 2.1W 800mV@50uA 190pF@10V N Channel 865pF@10V 8nC@4.3V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) MicroFET(1.6x1.6) MOSFETs ROHS

Dasenic

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Bettlink

This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process to optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET leadframe.

Fairchild Semiconductor