onsemi BUV21G

Name: onsemi BUV21G
Brand: onsemi
SKU: BUV21G

NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole Bipolar (BJT) Transistor - TO-204 (TO-3)

$ 12.857

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		BUV21G	59	1		22.280	14.430	12.910	12.910	12.910
Verical		BUV21G	11,948	25				15.675	14.025	13.200
Rochester Electronics	2	BUV21G	12,503					12.540	11.220	10.560	15m
DigiKey		BUV21GOS-NDOS-ND	99	1	Tray	21.700	15.612	12.536	12.536	12.536
Onlinecomponents.com		BUV21G	0	25	Bulk			12.450	12.450	12.450

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IHS

Datasheet6 页12 年前

element14 APAC

onsemi

Newark

Future Electronics

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供应链

Country of OriginMexico

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1991-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi BUV21G 的描述。

NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole Bipolar (BJT) Transistor - TO-204 (TO-3)

Future Electronics

40 A, 200V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

TRANS NPN 200V 40A TO-3 / Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

Win Source

Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin

IHS

Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN

Fly-Wing Technology

Transistor, Bipol, Npn, 200V, To-3-2; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:200V; Transition Frequency Ft:8Mhz; Power Dissipation Pd:250W; Dc Collector Current:40A; Dc Current Gain Hfe:10Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi BUV21G

Newark