onsemi 2SJ652-1E

Name: onsemi 2SJ652-1E
Brand: onsemi
SKU: 2SJ652-1E

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	2SJ652-1E	0	1		2.984*	2.401*	2.401*	2.401*	2.401*	6h
Win Source	WS-2SJ652-1E	900	5			11.143	7.429	7.429	7.429	21h
Worldway Electronics	2SJ652-1E	11,861	7	Tube		0.401	0.389	0.369	0.369	20h
Anlinkda	2SJ652-1E	22,810			2.243	2.009	1.720	1.689	1.617	2h
RC Electronics	2SJ652-1E	20,483	1		1.630	1.490	1.360	1.290	1.250	>1wk

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Upverter

Technical Drawing1 页5 年前

IHS

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供应链

Country of OriginSouth Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-07-15

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2021-10-05

LTD Date2022-07-05

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi 2SJ652-1E 的描述。

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Trans MOSFET P-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Magazine

Avnet

Power MOSFET, P-Channel, -60V, -28A, 38mΩ

onsemi

MOSFET, P-CH, -60V, -28A, TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -28A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.0285ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.6

Farnell