NXP Semiconductors AFIC901NT1

Name: NXP Semiconductors AFIC901NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: AFIC901NT1

Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1.8-1000 MHz, 30 dBm, 7.5 V

$ 3.071

EOL

制造商页面数据表

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

查看所有价格优惠

Distributor		SKU	Min	Pkg
Newark		AFIC901NT1	1K	Tape & Reel	3.170	2.830
RFMW		AFIC901NT1	1				15h
Future Electronics	2	AFIC901NT1	1K	Tape & Reel	2.530	2.530
Avnet		AFIC901NT1	1K		2.530	2.492	1d
Arrow Electronics		AFIC901NT1	1K		3.071	2.891

数据表和文档

下载 NXP Semiconductors AFIC901NT1 的数据表和制造商文档。

ODG (Origin Data Global)

Datasheet20 页10 年前

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 NXP Semiconductors AFIC901NT1 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源	eCAD	mCAD	文件
Component Search Engine	符号封装	3D	下载

下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开

从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.33.00.01

Introduction Date2016-01-20

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-09-30

描述

由其分销商提供的 NXP Semiconductors AFIC901NT1 的描述。

Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1.8-1000 MHz, 30 dBm, 7.5 V

Freescale Semiconductor

Amplifier, 0.0018 to 1 GHz, 30 dBm, 31.2 dB, 7.5 V, QFN 4 x 4, LDMOS

RFMW

RF Amp Dual Power Amp 1GHz 30V 24-Pin HVQFN EP T/R

Verical

AFIC901NT1 Series 7.5 V 30dB 1 GHz SMT Integrated Power Amplifier - QFN-24

Future Electronics

Transistor RF FET 30V 1.8MHz to 1000MHz 24-Pin QFN T/R

Avnet

RF FET, 30V, 1.8MHZ-1GHZ, HVQFN; Drain Source Voltage Vds: 30V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 1GHz; RF Transistor Case: HVQFN; No. of Pins: 24Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: AFIC901N Series; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Farnell