新增内容： 采用我们全新改版的体验，更快找到合适的零件

了解更多

Nexperia PMZB290UNE,315

PMZB290UNE Series 20 V 1 A Single N-Channel Trench MOSFET - DFN1006B-3
EOL
数据表
制造商页面

价格与库存

数据表和文档

下载 Nexperia PMZB290UNE,315 的数据表和制造商文档。

IHS

Datasheet15 页14 年前

Future Electronics

Newark

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 Nexperia PMZB290UNE,315 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源eCADmCAD文件
Component Search Engine
符号封装
3D
下载
EE Concierge
符号封装
下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开
从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2020-12-31
LTD Date2021-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 5 years ago)

相关零件

onsemiNTJS4405NT1
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 1.2A N-Channel No-Cancel/No-Return
详细信息
onsemiNTJS4405NT1G
NTJS4405N: Small Signal MOSFET 25V 1.2A 350 mOhm Single N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
详细信息
onsemiNVJS4405NT1G
Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mΩ Automotive Version of the NTJS4405N
详细信息
Diodes Inc.DMC2700UDM-7
Mosfet Bvdss: 8V-24V Sot26 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC2700UDM-7
详细信息
InfineonBSD840NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.88A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1
详细信息
Diodes Inc.DMG1012UW-7
N-Channel 20 V 1 A 0.45 O Surface Mount Enhancement Mode Power MosFet - SOT-323
详细信息

描述

由其分销商提供的 Nexperia PMZB290UNE,315 的描述。

PMZB290UNE Series 20 V 1 A Single N-Channel Trench MOSFET - DFN1006B-3
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-883B T/R
Verical
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT883B
element14 APAC
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT883B; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 750mV; Powe
Farnell
Mosfet, N Channel, 20V, 1A, Sot883B; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.29Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V |Nexperia PMZB290UNE,315
Newark

图片

Nexperia
element14 APAC
Rochester Electronics

制造商别名

Nexperia 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Nexperia 也可称为以下名称：

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

零件编号别名

该零件可能有以下备用零件编号：

  • PMZB290UNE 315
  • PMZB290UNE,315""
  • PMZB290UNE-315
  • PMZB290UNE315