Nexperia NX3008PBKW,115

Name: Nexperia NX3008PBKW,115
Brand: Nexperia
SKU: NX3008PBKW,115

P-Channel 30 V 4.1 Ohm 0.52 nC Surface Mount TrenchMOS FET - SOT-323

$ 0.05

Production

制造商页面数据表

价格与库存

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		NX3008PBKW,115	60,000	3K						0.033	1d
Verical	5	NX3008PBKW,115	4,955	58				0.078	0.048	0.032
Arrow Electronics	4	NX3008PBKW,115	4,955	1		0.203	0.126	0.078	0.048	0.041
Rochester Electronics	2	NX3008PBKW,115	9,000					0.060	0.050	0.045	21h
Future Electronics		NX3008PBKW,115	57,000	3K	Tape & Reel					0.119

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Newark

Datasheet16 页14 年前

IHS

TME

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-08-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

描述

由其分销商提供的 Nexperia NX3008PBKW,115 的描述。

P-Channel 30 V 4.1 Ohm 0.52 nC Surface Mount TrenchMOS FET - SOT-323

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET

IHS

Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin SC-70 T/R

Verical

30V 200mA 260mW 4.1´Î@4.5V200mA 1.1V@250Ã×A P Channel SOT-323 MOSFETs ROHS

Dasenic

30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET

Nexperia

Nexperia PMOS, Vds=30 V, 200 mA, SOT-323, , 3

UnikeyIC

MOSFETs; NX3008PBKW,115; NEXPERIA

Maritex

MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT323, REEL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -200mA; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vg

Farnell

Mosfet, P Channel, 30V, 200Ma, Sot323; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-200Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-30V; Resistencia De Activación Rds(On):2.8Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Nexperia NX3008PBKW,115

Newark