Infineon IRGS4615DPBF

Name: Infineon IRGS4615DPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGS4615DPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 99000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

$ 1.24

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRGS4615DPBF	517					1.490	1.240	1.100	2h
Farnell		IRGS4615DPBF	0	1		3.024*	2.275*	1.812*	1.223*	1.223*	1d
Verical		IRGS4615DPBF	350	202					1.550	1.375
Worldway Electronics		IRGS4615DPBF	15,524	7	Tube		0.356	0.345	0.327	0.327	2h
Esaler Electronic		IRGS4615DPBF	161			1.879	1.861	1.843	1.825	1.807	3h

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IHS

Datasheet13 页11 年前

Farnell

Newark

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-09-17

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2017-03-16

LTD Date2017-09-16

描述

由其分销商提供的 Infineon IRGS4615DPBF 的描述。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 99000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

ComSIT Distribution GmbH

IGBT, SINGLE, 600V, 23A, TO-263; DC Collector Current: 23A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 99W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins:

Farnell