Infineon IRF7831TRPBF

Name: Infineon IRF7831TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7831TRPBF

Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Obsolete

制造商页面数据表

价格与库存

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7831TRPBF	0	4K	Bulk					1.823	5h
Farnell	3	IRF7831TRPBF	0	5	Cut Tape		2.168*	1.377*	1.377*	1.377*	11h
Microchip USA		IRF7831TRPBF	105	600					1.408	1.408	1d
Component Stockers USA		IRF7831TRPBF	34,902			1.150	0.870	0.690	0.440	0.450	3d
Win Source		WS-IRF7831TRPBF	1,054	55				0.989	0.659	0.659	13h

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TME

Datasheet10 页20 年前

IHS

Farnell

Jameco

iiiC

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-06-30

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

描述

由其分销商提供的 Infineon IRF7831TRPBF 的描述。

Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC; N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V

element14 APAC