Infineon IRF1310NPBF

Name: Infineon IRF1310NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1310NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.036 Ohm; Id 42A; TO-220AB; Pd 160W; Vgs +/-20V

$ 0.878

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	97K2081	399	1		2.690	1.450	1.330	1.080	1.080	1d
Newark		IRF1310NPBF	1,139	1		2.690	1.450	1.330	1.080	1.080
Arrow Electronics	2	IRF1310NPBF	3,128	1		1.188	1.188	1.188	1.188	1.188
Future Electronics	3	IRF1310NPBF	850	50	Tube			1.210	1.180	1.150
Rutronik		TMOSP11697	50	50				0.688	0.551	0.551	17h

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Newark

Datasheet10 页21 年前

Datasheet9 页21 年前

Datasheet9 页28 年前

Datasheet8 页28 年前

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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3 个月趋势:

-53.32%

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon IRF1310NPBF 的描述。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 160 W

Distrelec

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

N Channel Mosfet, 100V, 42A, To-220Ab; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:42A; On Resistance Rds(On):0.036Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes

Newark