Infineon IMBF170R450M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R450M1XTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBF170R450M1XTMA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

$ 2.92

Production

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价格与库存

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IMBF170R450M1XTMA1	1,000	1K					2.976	2.834	8h
Arrow Electronics	3	IMBF170R450M1XTMA1	4,792	1		4.043	4.043	4.043	4.043	4.043
Future Electronics		IMBF170R450M1XTMA1	2,000	1K	Tape & Reel				2.920	2.880
Rochester Electronics		IMBF170R450M1XTMA1	1,400					2.760	2.470	2.320	5h
DigiKey	3	448-IMBF170R450M1XTMA1CT-ND	181	1	Cut Tape	7.260	4.891	3.551	3.369	3.369

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IHS

Datasheet15 页5 年前

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供应链

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-04-27

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon IMBF170R450M1XTMA1 的描述。

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

EBV Elektronik

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1700V 9.8A 7-Pin TO-263 T/R

Avnet Japan

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 1700V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Semicontronic

CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.

Infineon

Mosfet, Sic, N-Ch, 1.7Kv, 9.8A, To-263; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:1.7Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:107Wrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBF170R450M1XTMA1

Newark