Infineon FF650R17IE4BOSA1

Name: Infineon FF650R17IE4BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF650R17IE4BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150000mW Automotive 8-Pin PRIME2-1 Tray

$ 363.678

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	FF650R17IE4BOSA1	3	1		400.38	400.38	400.38	400.38	400.38
Rochester Electronics	FF650R17IE4BOSA1	2			340.30	340.30	319.88	299.46	299.46	18h
DigiKey	448-FF650R17IE4BOSA1-ND	23	1	Tray	366.40	366.40	355.62	355.62	355.62
Future Electronics	FF650R17IE4BOSA1	0	1	Tray	390.33	377.65	371.74	371.74	371.74
Avnet	FF650R17IE4BOSA1	0	3			384.45	355.62	355.62	355.62	2d

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Farnell

Newark

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供应链

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-01-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon FF650R17IE4BOSA1 的描述。

Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150000mW Automotive 8-Pin PRIME2-1 Tray

Verical

PrimePACK™2 1700 V, 650 A half bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4, NTC and fast switching chip. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.

Infineon

Igbt Module; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:650A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.7Kv; Disipación De Potencia Pd:4.15Kw; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.7Kv; Núm. De Contactos:10 |Infineon FF650R17IE4

Newark

IGBT, H/B NTC, 1700V, 650A, PRIMEPA; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:650A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:4.15kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Module Configuration:Dual; Power Dissipation Max:4.15kW

element14 APAC