Infineon FF600R12IE4BOSA1

Name: Infineon FF600R12IE4BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF600R12IE4BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3350000mW 8-Pin PRIME2-1 Tray / IGBT MODULE 1200V 600A

$ 363.038

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	FF600R12IE4BOSA1	3	1		363.04	363.04	363.04	363.04	363.04
DigiKey	448-FF600R12IE4BOSA1-ND	3	1	Tray	332.28	332.28	318.03	318.03	318.03
Future Electronics	FF600R12IE4BOSA1	0	3	Tray		422.80	415.56	415.56	415.56
Avnet	FF600R12IE4BOSA1	0	3			343.82	318.03	318.03	318.03	22h
Farnell	FF600R12IE4BOSA1	0	3			372.15*	372.15*	372.15*	372.15*	19h

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供应链

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-10-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon FF600R12IE4BOSA1 的描述。

Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3350000mW 8-Pin PRIME2-1 Tray / IGBT MODULE 1200V 600A

Win Source

Infineon FF600R12IE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount

TodayComponents

PrimePACK™2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and fast switching chip.

Infineon

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 600A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:3.35kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi

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