Infineon FF300R07KE4HOSA1

Name: Infineon FF300R07KE4HOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF300R07KE4HOSA1

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 365 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module

$ 69.865

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	FF300R07KE4HOSA1	10	1		168.62	168.62	168.62	168.62	168.62
Arrow Electronics	FF300R07KE4HOSA1	10	1		114.57	114.57	114.57	114.57	114.57
Future Electronics	FF300R07KE4HOSA1	0	10	Tray		67.910	66.910	66.060	66.060
Avnet	FF300R07KE4HOSA1	0	10			77.854	68.754	67.491	67.491	3d
Farnell	FF300R07KE4HOSA1	10	1		99.094*	81.048*	81.048*	81.048*	81.048*	5h

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Infineon

Datasheet1 页14 年前

IHS

Newark

iiiC

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供应链

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-01-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon FF300R07KE4HOSA1 的描述。

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 365 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module

Newark

62 mm 650 V, 300 A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4 and emitter controlled diode.

Infineon

FF300R07KE4 Series 650 V 365 A 940 W Chassis Mount IGBT Module

Future Electronics

Transistor IGBT Module N-CH 650V 365A 20V Screw Mount Tray

Avnet

Trans IGBT Module N-CH 650V 365A 940mW 7-Pin 62MM-1 Tray

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 365A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

IHS

650 V dual IGBT module, AG-62MM-1-7, RoHS

Infineon SCT

IGBT Modules IGBT Module 300A 650V

ODG (Origin Data Global)

IC MCU 32B 2.0625MB FLSH 144LQFP

YIC International

IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.55V, 365A; Transistor Polarity: Dual NPN; DC Collector Current: 365A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 940W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transis

Farnell