Infineon FD200R12KE3HOSA1

Name: Infineon FD200R12KE3HOSA1
Brand: Infineon
SKU: FD200R12KE3HOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray

$ 98.355

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	FD200R12KE3HOSA1	4	1		105.43	105.43	105.43	105.43	105.43
DigiKey	448-FD200R12KE3HOSA1-ND	10	1	Tray	114.09	91.279	91.279	91.279	91.279
Avnet	FD200R12KE3HOSA1	0	10			104.32	93.620	91.279	91.279	2d
Farnell	FD200R12KE3HOSA1	0	1		123.45*	118.30*	118.30*	118.30*	118.30*	7h
Mouser	641-FD200R12KE3	20	1	Tray	137.70	114.54	104.32	114.54	114.54

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Infineon

Datasheet1 页14 年前

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Farnell

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供应链

Country of OriginAustria, Hungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-10-02

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon FD200R12KE3HOSA1 的描述。

Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray

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Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount

TodayComponents

62 mm 1200 V, 200 A chopper IGBT modules are the right choice for your design. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.

Infineon

Igbt Module, N-Ch, 1.2Kv, 295A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FD200R12KE3HOSA1

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