Infineon BFR106E6327HTSA1

Name: Infineon BFR106E6327HTSA1
Brand: Infineon
SKU: BFR106E6327HTSA1

BFR106 Series 15 V 210 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - PG-SOT23-3

$ 0.162

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	13AC8242	1,860	1		0.357	0.258	0.207	0.187	0.187	3d
Newark	2	BFR106E6327HTSA1	1,860	1	Cut Tape	0.356	0.261	0.223	0.223	0.223
Arrow Electronics		BFR106E6327HTSA1	4,886	1		0.275	0.167	0.132	0.108	0.108
Rochester Electronics		BFR106E6327HTSA1	8,918					0.147	0.122	0.109	7h
DigiKey	3	BFR106E6327HTSA1CT-ND	9,578	1	Cut Tape	0.310	0.215	0.164	0.137	0.124

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IHS

Datasheet8 页12 年前

Burklin Elektronik

_legacy Avnet

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供应链

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1990-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon BFR106E6327HTSA1 的描述。

BFR106 Series 15 V 210 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - PG-SOT23-3

Future Electronics

RF TRANSISTOR, NPN, 16V, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:16V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:210mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF

element14 APAC

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 210 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 16 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 3 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 5 / Power Dissipation (Pd) mW = 700 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel

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