Infineon BFP840ESDH6327XTSA1

Name: Infineon BFP840ESDH6327XTSA1
Brand: Infineon
SKU: BFP840ESDH6327XTSA1

BFP840ESD: 2.25 V 35mA Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

$ 0.229

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	BFP840ESDH6327XTSA1	3,000	3K						0.180	8h
Newark		BFP840ESDH6327XTSA1	165	1	Cut Tape	0.128	0.128	0.128	0.128	0.128
Arrow Electronics		BFP840ESDH6327XTSA1	2,880	1		0.218	0.194	0.189	0.189	0.189
Rochester Electronics		BFP840ESDH6327XTSA1	642,625					0.264	0.219	0.195	5h
DigiKey	3	BFP840ESDH6327XTSA1CT-ND	3,384	1	Cut Tape	0.520	0.364	0.283	0.240	0.240

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IHS

Datasheet22 页7 年前

element14 APAC

Burklin Elektronik

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供应链

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-04-25

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 的描述。

BFP840ESD: 2.25 V 35mA Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

Future Electronics

The BFP840ESD is a discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band.

Infineon

RF TRANSISTOR, NPN, 2.25V, 80GHZ, SOT343; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 2.25V; Transition Frequency ft: 80GHz; Power Dissipation Pd: 75mW; DC Collector Current: 35mA; DC Current Gain hFE: 150hFE; RF Transistor Case: SOT-343; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell