Diodes Inc. FCX591TA

Name: Diodes Inc. FCX591TA
Brand: Diodes Inc.
SKU: FCX591TA

Trans Gp Bjt PNP 60V 1A 2000MW 4-PIN(3+TAB) SOT-89 T/r / Trans PNP 60V 1A SOT-89

$ 0.202

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	FCX591CT-ND	4,491	1	Cut Tape	0.940	0.588	0.381	0.293	0.293
TME	2	FCX591TA	0	1		0.670	0.412	0.272	0.194	0.187	14h
Future Electronics		FCX591TA	0	1K	Tape & Reel				0.250	0.240
RS (Formerly Allied Electronics)		FCX591TA	0	25	Bulk			0.490	0.444	0.444	8h
Avnet		FCX591TA	0	1K					0.169	0.163	18h

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IHS

Datasheet7 页12 年前

Datasheet1 页0 年前

Future Electronics

Diodes Inc SCT

iiiC

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1993-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Diodes Inc. FCX591TA 的描述。

Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 60V 1A SOT-89

Win Source

FCX591 Series PNP 1 A 60 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89

Future Electronics

SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

General Purpose Transistors PNP Ic=1A Vceo=60V hfe=100 P=1W SOT89-3

HQonline

600mV@ 100mA,1A PNP 2W 7V 100nA 80V 60V 1A SOT-89-3 1.6mm

UnikeyIC

TRANSISTOR, PNP, 60V, 1A, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)

Farnell