Diodes Inc. 2DB1713-13

Name: Diodes Inc. 2DB1713-13
Brand: Diodes Inc.
SKU: 2DB1713-13

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.172

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
TME	2	2DB1713-13	0	1		0.580	0.362	0.224	0.145	0.111	19h
Avnet		2DB1713-13	0	2500						0.095	2d
Arrow Electronics		2DB1713-13	0	2500						0.098
Farnell	2	2DB1713-13	0	5	Cut Tape		0.431*	0.205*	0.132*	0.123*	22h
Microchip USA		2DB1713-13	167	3500	Tray					0.488	14h

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IHS

Datasheet6 页2 年前

Newark

Future Electronics

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-12-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Diodes Inc. 2DB1713-13 的描述。

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

12V 900mW 270@500mA,2V 3A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE

Fly-Wing Technology

PNP 12 V 3 A 900 mW Surface Mount Transistor - SOT-89-3L

Future Electronics

Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Verical

General Purpose Transistors PNP Ic=3A Vceo=12V hfe=270~680 P=900mW SOT89-3L

HQonline

TRANSISTOR, PNP, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor

Farnell