Yageo Group XP6NA1R4CXT

Name: Yageo Group XP6NA1R4CXT
Brand: Yageo Group
SKU: XP6NA1R4CXT

Power Field-Effect Transistor

$ 1.079

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		XP6NA1R4CXT	200	1	Cut Tape	3,800	3,370	2,420	1,850	1,850
Arrow Electronics		XP6NA1R4CXT	3.000	3			1,033	0,843	0,818	0,817
DigiKey	2	5048-XP6NA1R4CXTCT-ND	1.000	1	Cut Tape	3,120	2,020	1,394	1,078	1,078
Avnet		XP6NA1R4CXT	0	3K						0,897	1d
Farnell	2	XP6NA1R4CXT	200	1	Cut Tape	2,495*	1,615*	1,124*	1,124*	1,124*	7h

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Farnell

Datasheet8 páginashá 0 anos

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China, Taiwan

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2024-03-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Descrições

Descrições de Yageo Group XP6NA1R4CXT fornecidas pelos seus distribuidores.

Power Field-Effect Transistor

IHS

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, PMPAK;

Farnell

FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK

Augswan

N-CH SINGLE 60V PMPAK5X6

TTI Europe

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, PMPAK; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:210A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes

Newark

Nomes alternativos do fabricante

Yageo Group possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Yageo Group também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes: