Winbond W987D2HBJX7E
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2Gb (128M x 16) 128 M x 16 1.283V 219mA 1.45V 933MHz Parallel 16bit FBGA-96 , 14mm*8mm
Descrições
Descrições de Winbond W987D2HBJX7E fornecidas pelos seus distribuidores.
Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
DRAM 128Mb LPSDR, x32, 133MHz, 65nm
Nomes alternativos do fabricante
Winbond possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Winbond também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Winbond Electronics
- ISD
- WIN
- WINBON
- WINBOND ELECTRONICS CORP
- Winbond Electronics Corporation
- WINB
- WINDBOND
- WINDOND
- INFORMATION STORAGE DEVICES
- Winbond Elec
- WINBND
- WINBOD
- WinbondPb
- WINBOND/PBF
- WINBOND ELECTRO
- WINBOUND
- Winbond Electronics Corporation America
- WINBOND Semiconductor
- WINBONDELE
- WINBNDELEC
- WINBOND ELECT CORP
- WINBOn semiD
- WINBONB
- Winbond Corp
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTFBGA
MountSurface Mount
Number of Pins90
Number of Terminals90
Technical
Access Time5.4 ns
Address Bus Width14 b
Density4 Gb
Frequency133 MHz
InterfaceParallel
Max Frequency133 MHz
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Current70 mA
Max Supply Voltage1.95 V
Memory TypeRAM, SDRAM
Min Operating Temperature-25 °C
Min Supply Voltage1.7 V
Nominal Supply Current70 mA
Number of Circuits1
Number of Ports1
Operating Supply Voltage1.8 V
Dimensions
Height - Seated (Max)1.025 mm
Length13 mm
Terminal Pitch800 µm
Width8 mm
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