Vishay SUM90N10-8M2P-E3
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Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-08-31
LTD Date2025-12-31
Peças relacionadas
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
InfineonIPB042N10N3GATMA1
214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
InfineonIPB083N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB052N04N G
79W(Tc) 20V 4V@ 33¦ÌA 42nC@ 10 V 1N 40V 5.2m¦¸@ 70A,10V 70A 3.3nF@20V TO-263 10mm*9.25mm*4.4mm
VishaySUM70040E-GE3
VISHAY SUM70040E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
Descrições
Descrições de Vishay SUM90N10-8M2P-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
Single N-Channel 100 V 0.0082 O 97 nC Surface Mount Power Mosfet -TO-263 (D2PAK)
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Mosfet, N Channel, 100V, 90A, To-263-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SUM90N10-8M2P-E3.
MOSFET, N-CH, 100V, 90A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Tendência de 3 meses: -41.38%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max8.2 mΩ
Resistance8.2 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade