Vishay SUM80090E-GE3
$ 1.565
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SUM80090E-GE3 | 2.400 | 800 | 3d | ||||||||
| Newark | SUM80090E-GE3 | 483 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SUM80090E-GE3 | 1.088 | 1 | |||||||||
| Verical | SUM80090E-GE3 | 483 | 40 | |||||||||
| Future Electronics | SUM80090E-GE3 | 1.600 | 800 | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIPB072N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
VishaySUM40N15-38-E3
SUM40N15-38-E3 N-channel MOSFET Transistor; 40 A; 150 V; 2+Tab-Pin TO-263
InfineonIPB108N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrições
Descrições de Vishay SUM80090E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
375W(Tc) 20V 5V@ 250¦ÌA 95nC@ 10 V 1N 150V 9m¦¸@ 30A,10V 128A 3.425nF@75V D2PAK,TO-263 4.83mm
N-Channel 150 V 9 mOhm 375 W SMT ThunderFET Power Mosfet - TO-263
Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 128A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:128A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V;
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.21%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)128 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation375 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.08 mm
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