Vishay SUD80460E-GE3
$ 0.432
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SUD80460E-GE3 | 2.000 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 742-SUD80460E-GE3CT-ND | 12.130 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SUD80460E-GE3 | 0 | 2K | 21h | ||||||||
| TTI | SUD80460E-GE3 | 0 | 2K | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Future Electronics | SUD80460E-GE3 | 0 | 2K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay SUD80460E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 150 V 44.7 mOhm 65.2 W SMT ThunderFET Power Mosfet - TO-252
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 42 A, 0.0372 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 18.1A I(D), 150V, 0.0447ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 150V, 42A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.0372ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +9.89%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance44.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation65.2 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.507 mm