Vishay SQM100N04-2M7_GE3
$ 1.36
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SQM100N04-2M7_GE3CT-ND | 800 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SQM100N04-2M7-GE3 | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Future Electronics | SQM100N04-2M7_GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SQM100N04-2M7_GE3 | 0 | 800 | 3d | ||||||||
| TTI Europe | SQM100N04-2M7/GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | 1d |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.44%
Modelos CAD
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Descrições
Descrições de Vishay SQM100N04-2M7_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
157W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 145nC@ 10 V 1N 40V 2.7m¦¸@ 30A,10V 100A 7.91nF@25V TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.44%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.91 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation157 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade