Vishay SQJ872EP-T1_GE3
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay SQJ872EP-T1_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
SQJ872EP Series 150 V 24.5 A 35.5 mOhm Automotive N-Ch. Mosfet - PowerPAK® SO-8L
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 / N-Channel 150 V 24.5A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 150V, 0.0355ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NMOS TrenchFET, Vds=150 V, 24.5 A, PowerPAK SO-8L, , 4
Mosfet, N-Ch, 150V, 24.5A, 175Deg C, 55W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(On):0.0293Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powerrohs Compliant: Yes |Vishay SQJ872EP-T1_GE3
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +6.08%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance35.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Fichas técnicas e documentos
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