Vishay SQJ850EP-T1_GE3
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQJ850EP-T1_GE3CT-ND | 6.032 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQJ850EP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Newark | SQJ850EP-T1_GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | SQJ850EP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| TTI Europe | SQJ850EP-T1/GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 1d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Vishay SQJ850EP-T1_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8L
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFET N-Ch 60V 24A 175C PowerPAK SO8L-5
RS APAC
N-CH 60V 24A 23mOhm PPSO-8L RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS SQ Rugged, Vds=60 V, 24 A, PowerPAK SO-8L, , 5
MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive
MOSFET,N CH,W DIODE,60V,24A,POPAK8L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:45W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.225 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade