Vishay SQJ481EP-T1_GE3
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Tendência de 3 meses: -5.05%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Descrições
Descrições de Vishay SQJ481EP-T1_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -16 A, -80 V, 0.0651 ohm, -10 V, -2 V
Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Transistor MOSFET P-CH 80V 16A 8-Pin PowerPAK SO
MOSFET Devices; VISHAY; SQJ481EP-T1_GE3; -80 V; -16 A; 20 V; 45 W
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
PMOS TrenchFET, Vds=80 V, 16 A, PowerPAK SO-8L, , 4
MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L
MOSFET, P-CH, 80V, 16A, POWERPAKSO; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:16A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.05%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage-80 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Fichas técnicas e documentos
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