Vishay SQJ422EP-T1_GE3
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SQJ422EP-T1_GE3 | 3.000 | 3K | 17h | ||||||||
| Newark | SQJ422EP-T1_GE3 | 3.016 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SQJ422EP-T1_GE3CT-ND | 2.129 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQJ422EP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 16h | |||||||
| Future Electronics | SQJ422EP-T1_GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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VishaySQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A / Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Descrições
Descrições de Vishay SQJ422EP-T1_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 75 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Single N-Channel 40 V 3.4 mOhm 83 W SMT Automotive Power Mosfet - PowerPAK SO-8L
MOSFET Devices; VISHAY; SQJ422EP-T1_GE3; 40 V; 75 A; 20 V; 83 W
83W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1N 40V 3.4m¦¸@ 18A,10V 74A 5nF@20V
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +97.15%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.66 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation83 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.267 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade