Vishay SISS61DN-T1-GE3
$ 0.556
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SISS61DN-T1-GE3 | 27.315 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SISS61DN-T1-GE3 | 5.708 | 73 | |||||||||
| Future Electronics | SISS61DN-T1-GE3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | SISS61DN-T1-GE3 | 5.708 | 1 | 9h | ||||||||
| DigiKey | SISS61DN-T1-GE3CT-ND | 13.532 | 1 | Cut Tape |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +28.07%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SISS61DN-T1-GE3.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Vishay SISS61DN-T1-GE3 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-11-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay SISS61DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET P-CH 20V 111.9A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
Single P-Channel 20 V 3.5 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8S
Power Field-Effect Transistor, 111.9A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, -20V, -111.9A, 150DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-111.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 111.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 7 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 42 / Rise Time ns = 51 / Turn-OFF Delay Time ns = 106 / Turn-ON Delay Time ns = 32 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8S / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 65.8
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +28.07%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)111.9 A
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65.8 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SISS61DN-T1-GE3.