Vishay SISH101DN-T1-GE3
$ 0.426
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SISH101DN-T1-GE3 | 20.658 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SISH101DN-T1-GE3CT-ND | 16.130 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SISH101DN-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | 10h | |||||||
| TME | SISH101DN-T1-GE3 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| TTI Europe | SISH101DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | 11h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-11-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay SISH101DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet Japan
MOSFET Devices; VISHAY; SISH101DN-T1-GE3; -30 V; -16.9 A; 25 V; 3.7 W
Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
PowerPAK 1212-8SH 1G , 7.2 mO @ 10V mO @ 7.5V 13 mO @ 4.5V
Vishay PMOS, Vds=30 V, 35 A, PowerPAK 1212-8SH, , 8
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
MOSFET, P-CH, -30V, -35A, 150DEG C, 52W; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage V
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -35 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 7.2 / Gate-Source Voltage V = 25 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 10 / Turn-OFF Delay Time ns = 38 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Cut Tape / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 52
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.65%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height980 µm
Fichas técnicas e documentos
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