Vishay SIS472DN-T1-GE3
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIS472DN-T1-GE3CT-ND | 17.335 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIS472DN-T1-GE3 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| TTI | SIS472DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Avnet | SIS472DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | SIS472DN-T1-GE3 | 0 | 3K |
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySI4174DY-T1-GE3
2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 10A,10V 17A 985pF@15V SOIC-8 1.75mm
InfineonIRLR2703PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Descrições
Descrições de Vishay SIS472DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.5W(Ta),28W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 30nC@ 10 V 1N 30V 8.9m¦¸@ 15A,10V 20A 997pF@15V PPAK-1212-8,QFN-8 3.3mm*3.3mm*1.04mm
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
TRANS MOSFET N-CH 30V 20A 8-PIN PWRPAK
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
MOSFET, N CH, 30V, 20A, PPK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0074ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:28W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:-; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance997 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max8.9 mΩ
Rise Time19 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade