Vishay SIS334DN-T1-GE3
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIS334DN-T1-GE3.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-11
LTD Date2016-02-11
Descrições
Descrições de Vishay SIS334DN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
MOSFET 30 Volts 20 Amps 50 Watts
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance640 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max11.3 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Fichas técnicas e documentos
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