Vishay SIRA58ADP-T1-RE3
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Descrições
Descrições de Vishay SIRA58ADP-T1-RE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 40 V 2.65 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
5W(Ta),56.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250¦ÌA 61nC@ 10 V 1N 40V 2.65m¦¸@ 15A,10V 32.3A,109A 3.03nF@20V SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 40V, 0.00265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Mosfet, N-Ch, 40V, 109A, 150Deg C, 56.8W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:109A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.0022Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Powerrohs Compliant: Yes |Vishay SIRA58ADP-T1-RE3
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -64.12%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)109 A
Drain to Source Resistance2.65 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56.8 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
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