Vishay SIR5607DP-T1-RE3
$ 1.41
Production
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Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +136%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIR5607DP-T1-RE3.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2023-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrições
Descrições de Vishay SIR5607DP-T1-RE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
6.25W(Ta),104W(Tc) 2.6V@ 250¦ÌA 112nC@ 10 V 1P 60V 7m¦¸@ 20A,10V 90.9A 5.02nF@30V SOIC-8
MOSFET, P-CH, 60V, 90.9A, POWERPAK SO-8S ROHS COMPLIANT: YES
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 90.9A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CH SINGLE -40V PPAK SO-8
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +136%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)90.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIR5607DP-T1-RE3.