Vishay SIR122DP-T1-RE3
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-08-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay SIR122DP-T1-RE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 80V 59.6A 8-Pin PowerPAK SO
Avnet Japan
5.2W(Ta),65.7W(Tc) 20V 3.8V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 80V 7.4m¦¸@ 10A,10V 59.6A 1.95nF@40V
Power Field-Effect Transistor, 59.6A I(D), 80V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Mosfet, N-Ch, 59.6A, 80V, Powerpak So; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59.6A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0061Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.8V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR122DP-T1-RE3
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.97%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)59.6 A
Drain to Source Resistance9 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65.7 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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