Vishay SIHP12N65E-GE3
$ 1.14
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIHP12N65E-GE3 | 923 | 1 | |||||||||
| TTI | SIHP12N65E-GE3 | 2.000 | 50 | Tube | 1d | |||||||
| TME | SIHP12N65E-GE3 | 0 | 1 | 20h | ||||||||
| Avnet | SIHP12N65E-GE3 | 0 | 1K | 4d | ||||||||
| Future Electronics | SIHP12N65E-GE3 | 0 | 1K | Bulk |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.11%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIHP12N65E-GE3.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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E Series N Channel 650 V 380 mO 70 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
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E-Series N-Channel 600 V 0.28 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
VishaySIHF15N60E-GE3
34W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 78nC@ 10 V 1N 600V 280m¦¸@ 8A,10V 15A 1.35nF@100V TO-220 16.12mm
Descrições
Descrições de Vishay SIHP12N65E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
E Series N Channel 650 V 156 W 0.38 O 70 nC Flange Mount Power MOSFET -TO-220AB
156W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 70nC@ 10 V 1N 650V 380m¦¸@ 6A,10V 12A 1.224nF@100V TO-220AB 9.01mm
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 12A, To-220Ab Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHP12N65E-GE3
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.11%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.224 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation156 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIHP12N65E-GE3.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade