Vishay SIHD6N65E-GE3

E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK
$ 0.899
Production
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
DigiKeySIHD6N65E-GE3-ND2.7801Tube
TTISIHD6N65E-GE31.00050Tube
19h
TME
2
SIHD6N65E-GE301
15h
NewarkSIHD6N65E-GE303KTape & Reel
Future ElectronicsSIHD6N65E-GE3020Tube

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SIHD6N65E-GE3.

IHS

Datasheet10 páginas6 anos atrás

Newark

Farnell

Future Electronics

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
+25.64%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Vishay SIHD6N65E-GE3 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Ultra Librarian
SímboloPegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Peças relacionadas

InfineonIPD65R420CFDBTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Detalhes
InfineonSPD07N60C3BTMA1
Single N-Channel 650 V 600 mOhm 21 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
Detalhes
InfineonIPD65R660CFDBTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Detalhes
VishaySIHD6N62E-GE3
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
Detalhes
onsemiNDD60N550U1T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
Detalhes
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Detalhes

Descrições

Descrições de Vishay SIHD6N65E-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.

E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK
Future Electronics
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Farnell

Imagens

Vishay
element14 APAC
Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SIHD6N65EGE3