Vishay SIA817EDJ-T1-GE3
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIA817EDJ-T1-GE3 | 2.877 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND | 7.647 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA817EDJ-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | 13h | |||||||
| TME | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Modelos CAD
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | SímboloPegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Descrições
Descrições de Vishay SIA817EDJ-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
30V 4.5A 65m´Î@10V3A 6.5W 1.3V@250Ã×A P Channel PowerPAK SC-70-6 MOSFETs ROHS
MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance600 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation6.5 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade