Vishay SIA445EDJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA445EDJT-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIA445EDJT-T1-GE3

P-Channel 20-V D-S Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SIA445EDJT-T1-GE3

$ 0.281

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	SIA445EDJT-T1-GE3CT-ND	253	1	Cut Tape	0,900	0,559	0,362	0,250	0,250
TME	2	SIA445EDJT-T1-GE3	0	3K						0,235	21h
TTI		SIA445EDJT-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0,180	23h
Newark	2	SIA445EDJT-T1-GE3	0	5	Cut Tape		0,684	0,684	0,684	0,684
Future Electronics		SIA445EDJT-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0,260

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IHS

Datasheet10 páginas5 anos atrás

element14 APAC

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VishaySIA445EDJT-T1-GE3

VishaySIA445EDJ-T1-GE3

Price @ 1000

$ 0.281

$ 0.306

Stock

84,021

725,626

Authorized Distributors

6

Mount

-

Surface Mount

Case/Package

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

-20 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

-

-500 mV

Rds On Max

-

16.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

-

12 V

Power Dissipation

-

3.5 W

Input Capacitance

-

2.13 nF

Cadeia de suprimentos

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descrições

Descrições de Vishay SIA445EDJT-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.

P-Channel 20-V D-S Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SIA445EDJT-T1-GE3

Newark

19W(Tc) 12V 1.2V@ 250¦ÌA 69nC@ 10 V 1P 20V 16.7m¦¸@ 7A,4.5V 12A 2.18nF@10V 2.05mm*2.05mm*750¦Ìm

UnikeyIC

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0167ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Vigor Components

PowerPAK SC-70-6L MOSFETs ROHS

Dasenic

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes: