Vishay SIA421DJ-T1-GE3
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Israel
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Descrições
Descrições de Vishay SIA421DJ-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 0.035 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12A, SC-70; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -12A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 56mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:7.9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:3.5W; No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.16%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max35 mΩ
Resistance83 MΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade