Vishay SI7898DP-T1-GE3
$ 1.11
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7898DP-T1-GE3 | 12.765 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SI7898DP-T1-GE3CT-ND | 1.191 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7898DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Avnet | SI7898DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | SI7898DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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VishaySI4488DY-T1-GE3
1.56W(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA (Min) 36nC@ 10 V 1N 150V 50m¦¸@ 5A,10V 3.5A SOIC-8 1.75mm
VishaySI7846DP-T1-E3
Single N-Channel 150 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Descrições
Descrições de Vishay SI7898DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 150 V 85 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
1.9W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 21nC@ 10 V 1N 150V 85m¦¸@ 3.5A,10V 3A 1nF@ 15V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
N CHANNEL MOSFET, 150V, 3A, SOIC, FULL REEL; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:6V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max85 mΩ
Resistance85 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade