Vishay SI7234DP-T1-GE3
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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VishaySIR492DP-T1-GE3
Single N-Channel 12 V 4.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
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Si9933CDY Series Dual P-Channel 20 V 58 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7410TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID -16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-8V
InfineonIRF7329PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID -9.2A;SO-8;PD 2W;-55de
Descrições
Descrições de Vishay SI7234DP-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Channel 12 V 0.0034 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
3.5W 12V 1.5V@ 250¦ÌA 120nC@ 10V 2N 12V 3.4m¦¸@ 20A,4.5V 60A 5nF@6V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
Trans MOSFET N-CH 12V 24.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
12V 60A 3.4m´Î@4.5V20A 46W 1.5V@250Ã×A 2 N-Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 24.8A I(D), 12V, 0.005ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 12V, 60A/POWERPAK SO;
MOSFET, N-CH, 12V, 60A, POWERPAK SO;
DUAL 12V 60A 3mOhm PPSO-8 RoHSconf
Transistor; Continuous Drain Current, Id:60000mA; Drain Source Voltage, Vds:12V; On Resistance, Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.8 A
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max3.4 mΩ
Resistance3.4 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade