Vishay SI7113ADN-T1-GE3
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Tendência de 3 meses: +32.04%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Vishay SI7113ADN-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
MOSFET Devices; VISHAY; SI7113ADN-T1-GE3; -100 V; -3.8 A; 20 V; 3.5 W
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 100V, 10.8A, POWERPAK; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:10.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.6V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +32.04%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance132 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade